SMBG18A-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 20 V
耗散功率 600 W
钳位电压 29.2 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-215AA
外形尺寸
高度 2.41 mm
封装 DO-215AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBG18A-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBG18A-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBG18A-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS UNIDIR 600W 18V 5% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBG18A-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBG18A-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-215AA | 当前型号 | TVS UNIDIR 600W 18V 5% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBG18AHE3/5B 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | TVS UNIDIR 600W 18V 5% SMB | SMBG18A-E3/5B和SMBG18AHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBG18A-M3/5B 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 18V 600W 2Pin SMBG T/R | SMBG18A-E3/5B和SMBG18A-M3/5B的区别 |