SZP6SMB51AT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
SZP6SMB51AT3G中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 70.1 V
最大反向电压（Vrrm） 43.6V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 48.5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMB
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.28 mm
封装 SMB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZP6SMB51AT3G引脚图与封装图
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在线购买SZP6SMB51AT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZP6SMB51AT3G | ON Semiconductor 安森美 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SZP6SMB51AT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZP6SMB51AT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMB | 当前型号 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： P6SMB51AT3G 品牌： 安森美 封装： DO-214AA 51V 8.6A 600W | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR P6SMB51AT3G TVS Diode, P6SMB Series, Unidirectional, 43.6 V, 70.1 V, DO-214AA, 2 Pins 新 | SZP6SMB51AT3G和P6SMB51AT3G的区别 |