SZ1SMA28AT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
SZ1SMA28AT3G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
钳位电压 45.4 V
最大反向电压（Vrrm） 28V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 31.1 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMA
外形尺寸
封装 SMA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZ1SMA28AT3G引脚图与封装图
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在线购买SZ1SMA28AT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZ1SMA28AT3G | ON Semiconductor 安森美 | SMA 28V 400W | 搜索库存 |
替代型号SZ1SMA28AT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZ1SMA28AT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMA | 当前型号 | SMA 28V 400W | 当前型号 |
| 型号： 1SMA28AT3G 品牌： 安森美 封装： SMA | 完全替代 | 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向）齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | SZ1SMA28AT3G和1SMA28AT3G的区别 |