![SMBJ85AHE3/5B](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_337/chanpintu/smbj85ahe35b-NLJfMHGi-3jdJvgQ7q.png)
工作电压 85 V
击穿电压 94.4 V
耗散功率 600 W
钳位电压 137 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 94.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SMBJ85AHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SMBJ85AHE3/5B 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
型号: SMBJ85AHE3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ85AHE3/5B和SMBJ85AHE3/52的区别 | |
型号: SMBJ85A-M3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 85V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ85AHE3/5B和SMBJ85A-M3/52的区别 | |
型号: SMBJ85HE3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214 | 完全替代 | TVS UNIDIR 600W 85V 10% SMB | SMBJ85AHE3/5B和SMBJ85HE3/5B的区别 |