SIS888DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 11 ns
下降时间 9 ns
封装参数
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIS888DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS888DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 150V 5.3A 8Pin PowerPAK | 搜索库存 |