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SPB11N60C3ATMA1

SPB11N60C3ATMA1

数据手册.pdf

SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB11N60C3ATMA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPB11N60C3ATMA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


SPB11N60C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 11.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

输入电容 1200 pF

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPB11N60C3ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPB11N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263 搜索库存
替代型号SPB11N60C3ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPB11N60C3ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 650V 11A

当前型号

SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263

当前型号

型号： R6011KNJTL

品牌： 罗姆半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 11A

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