SPD08N50C3BTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 500V 7.6A

表面贴装型 N 通道 560 V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin TO-252 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

SPD08N50C3BTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 7.60 A

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.6A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SPD08N50C3BTMA1引脚图与封装图

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