STL80N4LLF3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2530pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STL80N4LLF3引脚图与封装图
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在线购买STL80N4LLF3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL80N4LLF3 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道40V - 0.0042ohm - 80A - PowerFLAT （引脚6x5 ）的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 40V - 0.0042ohm - 80A - PowerFLAT 6x5 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion | 搜索库存 |
替代型号STL80N4LLF3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL80N4LLF3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 8-PowerVDFN N-Channel 40V 10A | 当前型号 | N沟道40V - 0.0042ohm - 80A - PowerFLAT （引脚6x5 ）的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 40V - 0.0042ohm - 80A - PowerFLAT 6x5 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion | 当前型号 |
| 型号： STL70N4LLF5 品牌： 意法半导体 封装： 8-PowerVDFN N-CH 40V 70A | 类似代替 | N沟道40 V， 0.0055 Ω ， 18 A， PowerFLAT ？ （引脚6x5 ）的STripFET ？ V功率MOSFET N-channel 40 V, 0.0055 Ω, 18 A, PowerFLAT? 6x5 STripFET? V Power MOSFET | STL80N4LLF3和STL70N4LLF5的区别 |