SMBJ7.5A-M3/5B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 8.33 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SMBJ7.5A-M3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ7.5A-M3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ7.5A-M3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | 搜索库存 |
替代型号SMBJ7.5A-M3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ7.5A-M3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | 当前型号 |
| 型号： SMBJ7.5A-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-214AA/SMB-7.5V | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | SMBJ7.5A-M3/5B和SMBJ7.5A-E3/52的区别 |
| 型号： SMBJ7.5AHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | SMBJ7.5A-M3/5B和SMBJ7.5AHE3/52的区别 |
| 型号： SMBJ7.5A-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 7.5V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ7.5A-M3/5B和SMBJ7.5A-E3/5B的区别 |