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SMBJ30A-M3/52
SMBJ30A-M3/52中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMBJ30A-M3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBJ30A-M3/52
型号 制造商 描述 购买
SMBJ30A-M3/52 Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SMBJ30A-M3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ30A-M3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SMBJ30A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

VISHAY  SMBJ30A-E3/52.  TVS二极管, TVS, TRANSZORB SMBJ系列, 单向, 30 V, 48.4 V, DO-214AA, 2 引脚

SMBJ30A-M3/52和SMBJ30A-E3/52的区别

型号: SMBJ28A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

类似代替

VISHAY  SMBJ28A-E3/52  TVS二极管, TVS, AEC-Q101 TRANSZORB SMBJ系列, 单向, 28 V, 45.4 V, DO-214AA, 2 引脚

SMBJ30A-M3/52和SMBJ28A-E3/52的区别

型号: SMBJ30A-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214AA-2

类似代替

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMBJ30A-M3/52和SMBJ30A-E3/5B的区别