SMBJ30A-M3/5B中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ30A-M3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ30A-M3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ30A-M3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMBJ30A-M3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ30A-M3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 |
| 型号： SMBJ30A-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-214AA | 完全替代 | VISHAY SMBJ30A-E3/52. TVS二极管, TVS, TRANSZORB SMBJ系列, 单向, 30 V, 48.4 V, DO-214AA, 2 引脚 | SMBJ30A-M3/5B和SMBJ30A-E3/52的区别 |
| 型号： SMBJ30A-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214AA-2 | 类似代替 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SMBJ 系列，Vishay Semiconductor 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SMBJ30A-M3/5B和SMBJ30A-E3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ30AHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ30A-M3/5B和SMBJ30AHE3/52的区别 |