SMCJ11A-E3/57T中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 18.2 V
最大反向击穿电压 13.5 V
脉冲峰值功率 1.5 kW
最小反向击穿电压 12.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AB
外形尺寸
长度 7.11 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.62 mm
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ11A-E3/57T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMCJ11A-E3/57T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ11A-E3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
替代型号SMCJ11A-E3/57T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ11A-E3/57T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SMC | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 |
| 型号： SMCJ11A-E3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ11A-E3/57T和SMCJ11A-E3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ11AHE3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ11A-E3/57T和SMCJ11AHE3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ11A-M3/57T 品牌： 威世 封装： DO-214AB | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ11A-E3/57T和SMCJ11A-M3/57T的区别 |