SMCJ10A-E3/57T中文资料参数规格
技术参数
工作电压 10 V
击穿电压 12.3 V
电路数 1
耗散功率 6.5 W
钳位电压 17 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 12.3 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 11.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AB-2
外形尺寸
长度 7.11 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.62 mm
封装 DO-214AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ10A-E3/57T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMCJ10A-E3/57T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ10A-E3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | SMCJ 系列 10 V 单向 瞬态电压抑制二极管 -DO-214AB | 搜索库存 |
替代型号SMCJ10A-E3/57T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ10A-E3/57T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AB | 当前型号 | SMCJ 系列 10 V 单向 瞬态电压抑制二极管 -DO-214AB | 当前型号 |
| 型号： SMCJ10A-E3 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 1500W，SMCJ 系列，Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SMCJ10A-E3/57T和SMCJ10A-E3的区别 |
| 型号： SMCJ10A-M3/9AT 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,10V 5%,UNIDIR,SMC TVS | SMCJ10A-E3/57T和SMCJ10A-M3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ10A-M3/57T 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,10V 5%,UNIDIR,SMC TVS | SMCJ10A-E3/57T和SMCJ10A-M3/57T的区别 |