SMCJ110A-E3/9AT中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 122 V
钳位电压 177 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 122 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ110A-E3/9AT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMCJ110A-E3/9AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ110A-E3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 搜索库存 |
替代型号SMCJ110A-E3/9AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ110A-E3/9AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 1.5kW 2Pin SMC T/R | 当前型号 |
| 型号： SMCJ110AHE3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ110A-E3/9AT和SMCJ110AHE3/9AT的区别 |
| 型号： SMCJ110A-M3/57T 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ110A-E3/9AT和SMCJ110A-M3/57T的区别 |