SQ4917EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
耗散功率 5 W
漏源击穿电压 ±60 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SQ4917EY-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | **Dual P-Ch 60V 8A 48mOhm SO-8 ** | 搜索库存 |