SPP11N60S5HKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

SPP11N60S5HKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

输入电容Ciss 1460pF @25VVds

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 8.64 mm

宽度 10.26 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPP11N60S5HKSA1引脚图与封装图

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