SGP02N60XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
SGP02N60XKSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 30000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SGP02N60XKSA1引脚图与封装图
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在线购买SGP02N60XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SGP02N60XKSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220 | 搜索库存 |
替代型号SGP02N60XKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SGP02N60XKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220 | 当前型号 |
| 型号： SGP02N60 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 | 完全替代 | 在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation | SGP02N60XKSA1和SGP02N60的区别 |
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