锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SM6T150A-M3/5B

SM6T150A-M3/5B

数据手册.pdf

Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

207V Clamp 2.9A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 128V 207V DO214AA


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2-Pin SMB T/R


安富利:
600W,150V 5%,UNIDIR,SMB TVS


SM6T150A-M3/5B中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 143 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SM6T150A-M3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SM6T150A-M3/5B
型号 制造商 描述 购买
SM6T150A-M3/5B Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SM6T150A-M3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SM6T150A-M3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装:

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: P6SMB150A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

SM6T150A-M3/5B和P6SMB150A-E3/52的区别

型号: P6SMB150AHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

SM6T150A-M3/5B和P6SMB150AHE3/52的区别

型号: P6SMB150AHE3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

SM6T150A-M3/5B和P6SMB150AHE3/5B的区别