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SM6T18A-E3/5B
SM6T18A-E3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 15.3 V

钳位电压 32.5 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 17.1 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SM6T18A-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SM6T18A-E3/5B
型号 制造商 描述 购买
SM6T18A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 15.3V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SM6T18A-E3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SM6T18A-E3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 15.3V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SM6T18A-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

完全替代

600 W 17.1 V 单向 表面贴装 瞬态电压抑制器 二极管

SM6T18A-E3/5B和SM6T18A-E3/52的区别