SMF51A-HM3-08中文资料参数规格
技术参数
工作电压 51 V
击穿电压 56.7 V
钳位电压 82.4 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 56.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
封装 DO-219AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMF51A-HM3-08引脚图与封装图
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在线购买SMF51A-HM3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMF51A-HM3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-HM3 | 搜索库存 |
替代型号SMF51A-HM3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMF51A-HM3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-HM3 | 当前型号 |
| 型号： SMF51A-HE3-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-HE3 | SMF51A-HM3-08和SMF51A-HE3-18的区别 |
| 型号： SMF51A-M3-08 品牌： 威世 封装： DO-219AB-2 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3 | SMF51A-HM3-08和SMF51A-M3-08的区别 |
| 型号： SMF51A-E3-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 类似代替 | ESD Suppressor TVS 51V 2Pin SMF T/R | SMF51A-HM3-08和SMF51A-E3-18的区别 |