SE20DG-M3/I中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @20A
正向电流 20 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SE20DG-M3/I引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SE20DG-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE GEN PURP 400V 3.9A TO263AC | 搜索库存 |