
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2017/01/12
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPP04N50C3HKSA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPP04N50C3HKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPP04N50C3HKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220FP N-Channel 500V 4.5A | 当前型号 | INFINEON SPP04N50C3HKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: SPP04N50C3XKSA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 500V 4.5A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SPP04N50C3HKSA1和SPP04N50C3XKSA1的区别 |