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SPP04N50C3HKSA1

SPP04N50C3HKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPP04N50C3HKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

SPP04N50C3 , SP000014478


得捷:
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


SPP04N50C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 470pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2017/01/12

SPP04N50C3HKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPP04N50C3HKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPP04N50C3HKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPP04N50C3HKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP04N50C3HKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220FP N-Channel 500V 4.5A

当前型号

INFINEON  SPP04N50C3HKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: SPP04N50C3XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 500V 4.5A

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