STL9N3LLH5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 724pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL9N3LLH5引脚图与封装图
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在线购买STL9N3LLH5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL9N3LLH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30 V ， 0.015 Ω ， 9 A， PowerFLAT ？ （ 3.3x3.3 ）的STripFET ？ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.015 Ω, 9 A, PowerFLAT? 3.3x3.3 STripFET? V Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STL9N3LLH5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL9N3LLH5 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 8-PowerVDFN N-CH 30V 9A | 当前型号 | N沟道30 V ， 0.015 Ω ， 9 A， PowerFLAT ？ （ 3.3x3.3 ）的STripFET ？ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.015 Ω, 9 A, PowerFLAT? 3.3x3.3 STripFET? V Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STL8NH3LL 品牌： 意法半导体 封装： PowerFLAT N-Channel 30V 8A 15mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET | STL9N3LLH5和STL8NH3LL的区别 |