SMBJ110D-M3/I中文资料参数规格
技术参数
工作电压 110 V
击穿电压 133 V
耗散功率 1 W
钳位电压 174 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 124 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ110D-M3/I引脚图与封装图
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在线购买SMBJ110D-M3/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ110D-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 110V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol | 搜索库存 |
替代型号SMBJ110D-M3/I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ110D-M3/I 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 110V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol | 当前型号 |
| 型号： SMBJ110D-M3/H 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ110D-M3/I和SMBJ110D-M3/H的区别 |