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SMBJ5.0D-M3/H
SMBJ5.0D-M3/H中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 6.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMBJ5.0D-M3/H引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBJ5.0D-M3/H Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 5V 600W 2Pin SMB T/R 搜索库存
替代型号SMBJ5.0D-M3/H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ5.0D-M3/H

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 5V 600W 2Pin SMB T/R

当前型号

型号: SMBJ5.0D-M3/I

品牌: 威世

封装: DO-214

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