SMBJ100D-M3/I中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 113 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ100D-M3/I引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ100D-M3/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ100D-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 100V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMBJ100D-M3/I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ100D-M3/I 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 100V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 |
| 型号： SMBJ100D-M3/H 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 100V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ100D-M3/I和SMBJ100D-M3/H的区别 |