SMBJ130D-M3/I中文资料参数规格
技术参数
工作电压 130 V
击穿电压 157 V
耗散功率 1 W
钳位电压 206 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 146 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ130D-M3/I引脚图与封装图
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在线购买SMBJ130D-M3/I
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ130D-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 130V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol | 搜索库存 |
替代型号SMBJ130D-M3/I
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ130D-M3/I 品牌: VISHAY 威世 封装: | 当前型号 | DO-214AA-2 130V 206V 600W | 当前型号 | |
型号: P6SMB150A R4 品牌: 台湾半导体 封装: | 功能相似 | TVS二极管, P6SMB Series, 单向, 128 V, 207 V, DO-214AA, 2 引脚 | SMBJ130D-M3/I和P6SMB150A R4的区别 |