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SMBJ36CA-E3/5B

SMBJ36CA-E3/5B

数据手册.pdf

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

58.1V Clamp 10.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA


欧时:
### TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 36V 600W 2-Pin SMB T/R


SMBJ36CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 36 V

电路数 1

钳位电压 64.3 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 40 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.24 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMBJ36CA-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ36CA-E3/5B
型号 制造商 描述 购买
SMBJ36CA-E3/5B Vishay Semiconductor 威世 TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor 薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号SMBJ36CA-E3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ36CA-E3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: SMBJ36CA-M3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 36V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ36CA-E3/5B和SMBJ36CA-M3/52的区别

型号: SMBJ36C-E3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

TVS BIDIR 600W 36V 10% SMB

SMBJ36CA-E3/5B和SMBJ36C-E3/5B的区别

型号: SMBJ36CA-M3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Bi-Dir 36V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ36CA-E3/5B和SMBJ36CA-M3/5B的区别