SMBJ13CA-E3/5B

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装极佳的夹持能力非常快的响应时间低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor

21.5V Clamp 27.9A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

欧时:
### TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装极佳的夹持能力非常快的响应时间低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor

得捷:
TVS DIODE 13V 21.5V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 13V 800W Bidir TransZorb 5% Tol

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 13V 600W 2-Pin SMB T/R

安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 13V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ13CA-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 13 V

击穿电压 14.4 V

耗散功率 1 W

钳位电压 21.5 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 14.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.24 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBJ13CA-E3/5B引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
SMBJ13CA-E3/5B	Vishay Semiconductor 威世	TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor 薄型 DO-214AA SMBJ 封装极佳的夹持能力非常快的响应时间低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor	搜索库存

替代型号SMBJ13CA-E3/5B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SMBJ13CA-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世封装： DO-214	当前型号	TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装极佳的夹持能力非常快的响应时间低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor	当前型号
型号： SMBJ13CA-E3/52 品牌：威世封装： DO-214AA	完全替代	VISHAY SMBJ13CA-E3/52 二极管, TVS, 600W, 13V, DO-214AA	SMBJ13CA-E3/5B和SMBJ13CA-E3/52的区别
型号： SMBJ13CA-M3/52 品牌：威世封装： DO-214AA	类似代替	Diode TVS Single Bi-Dir 13V 600W 2Pin SMB T/R	SMBJ13CA-E3/5B和SMBJ13CA-M3/52的区别
型号： SMBJ13CAHE3/5B 品牌：威世封装： DO-214	类似代替	DIODE 600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor	SMBJ13CA-E3/5B和SMBJ13CAHE3/5B的区别