SMBJ18CA-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 20 V
钳位电压 29.2 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.24 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ18CA-E3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ18CA-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ18CA-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor 薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SMBJ18CA-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ18CA-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA | 当前型号 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SMBJ18CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 18V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ18CA-E3/5B和SMBJ18CAHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ18CA 品牌： 伯恩斯 封装： DO-214AA | 类似代替 | BOURNS SMBJ18CA 二极管, 18V, DO-214AA, 整卷 | SMBJ18CA-E3/5B和SMBJ18CA的区别 |
| 型号： SMBJ18CA-M3/52 品牌： 威世 封装： DO-214AA | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 18V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | SMBJ18CA-E3/5B和SMBJ18CA-M3/52的区别 |