SMBJ120A-E3/52中文资料参数规格
技术参数
工作电压 120 V
容差 5 %
击穿电压 133 V
钳位电压 193 V
最大反向击穿电压 147 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 133 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ120A-E3/52引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ120A-E3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ120A-E3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SMBJ120A-E3/52 TVS Diode, TRANSZORB SMBJ Series, Unidirectional, 120V, 193V, DO-214AA, 2Pins | 搜索库存 |
替代型号SMBJ120A-E3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ120A-E3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA | 当前型号 | VISHAY SMBJ120A-E3/52 TVS Diode, TRANSZORB SMBJ Series, Unidirectional, 120V, 193V, DO-214AA, 2Pins | 当前型号 |
| 型号： SMBJ120A-E3/51 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Suppressor; 133V Min.; 53.3V Max.; 600W Min.; 3.1A Max.; DO-214AA | SMBJ120A-E3/52和SMBJ120A-E3/51的区别 |
| 型号： SMBJ120A-M3/52 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | 600W,120V 5%,UNIDIR,SMB TVS | SMBJ120A-E3/52和SMBJ120A-M3/52的区别 |
| 型号： SMBJ120AHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 120V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ120A-E3/52和SMBJ120AHE3/52的区别 |