工作电压 150 V
击穿电压 167 V
耗散功率 1 W
钳位电压 243 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 167 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
宽度 3.94 mm
封装 DO-214AA-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SMBJ150A-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SMBJ150A-E3/5B 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | 当前型号 | |
型号: SMBJ150A-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor | SMBJ150A-E3/5B和SMBJ150A-E3/52的区别 | |
型号: SMBJ150A-M3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 150V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | SMBJ150A-E3/5B和SMBJ150A-M3/5B的区别 | |
型号: SMBJ150A-M3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 类似代替 | Tvs Diode 150vwm 243vc Do-215aa | SMBJ150A-E3/5B和SMBJ150A-M3/52的区别 |