SMBJ51A-E3/52中文资料参数规格
技术参数
额定功率 600 W
击穿电压 51 V
电路数 1
钳位电压 82.4 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 56.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SMBJ51A-E3/52引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ51A-E3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ51A-E3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SMBJ 系列，Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SMBJ51A-E3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ51A-E3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214AA/SMB-51V | 当前型号 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SMBJ 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
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| 型号： SMBJ51A-M3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214AA | 完全替代 | Diode TVS Single Uni-Dir 51V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ51A-E3/52和SMBJ51A-M3/5B的区别 |
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