
STU40N2LH5中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 35W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 40A
输入电容Ciss 700pF @20VVds
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STU40N2LH5引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STU40N2LH5 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道25 V , 0.01 Ω , 40 A , DPAK , IPAK的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 25 V, 0.01 Ω, 40 A, DPAK, IPAK STripFET™ V Power MOSFET | 搜索库存 |