SMF8V0A-E3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 8.89 V
通道数 1
正向电压 2.5 V
耗散功率 200 W
钳位电压 13.6 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 8.89 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
高度 0.98 mm
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMF8V0A-E3-08引脚图与封装图
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在线购买SMF8V0A-E3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMF8V0A-E3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1000W 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |
替代型号SMF8V0A-E3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMF8V0A-E3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219AB | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1000W 2Pin DO-219AB T/R | 当前型号 |
| 型号： SMF8V0A-HE3-18 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | ESD Suppressor TVS 8V Automotive 2Pin SMF T/R | SMF8V0A-E3-08和SMF8V0A-HE3-18的区别 |
| 型号： SMF8V0A-M3-18 品牌： 威世 封装： | 类似代替 | ESD Suppressor TVS 8V 2Pin SMF T/R | SMF8V0A-E3-08和SMF8V0A-M3-18的区别 |