SMF30A-E3-18中文资料参数规格
技术参数
工作电压 30 V
击穿电压 33.3 V
耗散功率 200 W
钳位电压 48.4 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 33.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-219AB-2
外形尺寸
封装 DO-219AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SMF30A-E3-18引脚图与封装图
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在线购买SMF30A-E3-18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMF30A-E3-18 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1000watt 30volt | 搜索库存 |
替代型号SMF30A-E3-18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMF30A-E3-18 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1000watt 30volt | 当前型号 |
| 型号： SMF30A-M3-08 品牌： 威世 封装： DO-219 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3 | SMF30A-E3-18和SMF30A-M3-08的区别 |
| 型号： SMF30A-E3-08 品牌： 威世 封装： DO-219AB | 类似代替 | ESD Protection Diodes SMT Unidirectional 1000W, SMF Series, Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SMF30A-E3-18和SMF30A-E3-08的区别 |
| 型号： SMF30A-HM3-08 品牌： 威世 封装： DO-219AB | 类似代替 | ESD Suppressor TVS 30kV 2Pin DO-219AB T/R | SMF30A-E3-18和SMF30A-HM3-08的区别 |