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SMAJ12A-TP

SMAJ12A-TP

数据手册.pdf

ESD 抑制器/TVS 二极管 12V 400 Watts

400 Watt Transient Voltage Suppressors 5.0 to 440 Volts

Features

•  For Surface Mount Applications

•  Unidirectional And Bidirectional

•  Low Inductance

•   High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals

•   For Bidirectional Devices Add “C” To The Suffix of The Part Number: i.e.SMAJ5.0CA for 5% Tolerance

•   UL Recognized File # E331408

•   Lead Free Finish/Rohs Compliant Note1 "P"Suffix designates Compliant. See ordering information


立创商城:
单向 Vrwm:12V 400W


得捷:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 12V 400 Watts


艾睿:
Save yourself hassle by equipping your device with Micro Commercial Components&s; SMAJ12A-TP TVS diode which will react to sudden or momentary overvoltage conditions. Its peak pulse power dissipation is 400Min W. This device&s;s maximum clamping voltage is 19.9 V and minimum breakdown voltage is 13.3 V. Its maximum leakage current is 1 μA. Its test current is 1 mA. This TVS diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components.


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 400W 2-Pin SMA T/R


Win Source:
TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMA


SMAJ12A-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

工作电压 12 V

额定功率 400 W

击穿电压 13.3 V

电路数 1

耗散功率 400 W

钳位电压 19.9 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 13.3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC-2

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.90 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AC-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMAJ12A-TP引脚图与封装图
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在线购买SMAJ12A-TP
型号 制造商 描述 购买
SMAJ12A-TP Micro Commercial Components 美微科 ESD 抑制器/TVS 二极管 12V 400 Watts 搜索库存
替代型号SMAJ12A-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMAJ12A-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: SMA 12V 400W

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 12V 400 Watts

当前型号

型号: 1SMA12AT3G

品牌: 安森美

封装: SMA

功能相似

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

SMAJ12A-TP和1SMA12AT3G的区别

型号: PSMA12A

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

瞬态电压抑制二极管 Transient voltage suppressor diodes

SMAJ12A-TP和PSMA12A的区别

型号: SMAJ12-TP

品牌: 美微科

封装:

功能相似

Diode TVS Single Uni-Dir 12V 400W 2Pin SMA T/R

SMAJ12A-TP和SMAJ12-TP的区别