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SMBJ9.0A-E3/52

SMBJ9.0A-E3/52

数据手册.pdf
SMBJ9.0A-E3/52中文资料参数规格
技术参数

工作电压 9 V

电路数 1

钳位电压 15.4 V

最大反向击穿电压 11.1 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMBJ9.0A-E3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBJ9.0A-E3/52
型号 制造商 描述 购买
SMBJ9.0A-E3/52 Vishay Semiconductor 威世 TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号SMBJ9.0A-E3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ9.0A-E3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: SMBJ9.0A-E3/5B

品牌: 威世

封装: SMB

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-E3/52和SMBJ9.0A-E3/5B的区别

型号: SMBJ9.0AHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-E3/52和SMBJ9.0AHE3/52的区别

型号: SMBJ9.0AHE3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-E3/52和SMBJ9.0AHE3/5B的区别