SPD03N50C3BTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

得捷:
MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

SPD03N50C3BTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 3.20 A

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 DPAK-252

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SPD03N50C3BTMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SPD03N50C3BTMA1

型号	制造商	描述	购买
SPD03N50C3BTMA1	Infineon 英飞凌	Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装	搜索库存