SI6928DQ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI6928DQ中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI6928DQ引脚图与封装图
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在线购买SI6928DQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6928DQ | Fairchild 飞兆/仙童 | 双30V N沟道PowerTrench MOSFET的 Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SI6928DQ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI6928DQ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP N-Channel 4A 35mohms | 当前型号 | 双30V N沟道PowerTrench MOSFET的 Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
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