SFT1458-TL-H中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1W Ta, 38W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 65pF @20VVds
下降时间 60 ns
耗散功率Max 1W Ta, 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SFT1458-TL-H引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SFT1458-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |