SQ7414AEN-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 9 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SQ7414AEN-T1_GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQ7414AEN-T1_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ7414AEN-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 60V 16A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |