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SPD02N60C3BTMA1

SPD02N60C3BTMA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPD02N60C3BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 650 V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPD02N60C3BTMA1  Power MOSFET, N Channel, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK


SPD02N60C3BTMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 消费电子产品, 工业, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPD02N60C3BTMA1引脚图与封装图
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SPD02N60C3BTMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPD02N60C3BTMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存