SE10DG-M3/I中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.15V @10A
反向恢复时间 3 µs
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SE10DG-M3/I引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SE10DG-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC | 搜索库存 |