SE10DD-M3/I中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.15V @10A
反向恢复时间 3 µs
正向电流 10 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SE10DD-M3/I引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SE10DD-M3/I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SE10DD-M3/I | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC | 搜索库存 |