SQ3460EV-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.025 Ω
耗散功率 3.6 W
阈值电压 0.4 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 848pF @10VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQ3460EV-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQ3460EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |