SPD04N60C3BTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 600V 4.5A

表面贴装型 N 通道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
SPD04N60C3 系列 650 V 0.95 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率晶体管 - PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK

SPD04N60C3BTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

SPD04N60C3BTMA1引脚图与封装图

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