SSN1N45BTA
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SSN1N45BTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 450 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
漏源极电阻 3.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 450 V
漏源击穿电压 450 V
栅源击穿电压 ±50.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SSN1N45BTA引脚图与封装图
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在线购买SSN1N45BTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SSN1N45BTA | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SSN1N45BTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SSN1N45BTA 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 450V 500mA 4.25ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SSN1N45BTA 晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SSN1N45BBU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 N-Channel 450V 500mA 4.25ohms | 类似代替 | N沟道 450V 500mA | SSN1N45BTA和SSN1N45BBU的区别 |