极性 N-CH
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 265pF @10VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SCH-6
长度 1.6 mm
宽度 1.5 mm
高度 0.56 mm
封装 SCH-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SCH1435-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SCH1435-TL-H 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SCH-6 N-CH 30V 3A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 当前型号 | |
型号: FDBL86210-F085 品牌: 安森美 封装: PSOF | 功能相似 | ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装 | SCH1435-TL-H和FDBL86210-F085的区别 |