SSM6J503NU,LFT
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
耗散功率 1W Ta
输入电容Ciss 840pF @10VVds
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 UDFNB-6
封装 UDFNB-6
工作温度 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SSM6J503NU,LFT引脚图
SSM6J503NU,LFT封装图
SSM6J503NU,LFT封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SSM6J503NU,LFT | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6Pin UDFN-B EP | 搜索库存 |